Industria de fabricare a carburii de siliciu

Comparat cupe bază de siliciuMaterialele semiconductoare, materialele semiconductoare de a treia generație reprezentate de carbură de siliciu (SiC) au multe avantaje, cum ar fi câmp electric de defalcare mare, viteză mare de deplasare a electronilor saturati și conductivitate termică ridicată.

Dispozitivele de putere cu carbură de siliciu sunt utilizate în principal în domenii de mare putere, cum ar fi vehiculele cu energie nouă, stocarea energiei fotovoltaice, tranzitul feroviar și alte domenii, în special în domeniul vehiculelor. În următorii câțiva ani, aplicațiile precum invertoarele principale de la bord și modulele de încărcare vor continua să crească cu o viteză mare.

În prezent, întreprinderile autohtone și-au accelerat intrarea în lanțul industriei cu carbură de siliciu, iar cheltuielile de capital s-au accelerat, aducând o creștere rapidă a tuturor verigilor lanțului industrial.

Potrivit raportului lui Yole, dimensiunea pieței dispozitivelor de putere cu carbură de siliciu va depăși 6 miliarde de dolari în 2027, cu o rată de creștere anuală compusă de peste 30%.

Puterea pe bază de carbură de siliciuLanțul industriei de dispozitive include în principal pregătirea substratului de carbură de siliciu în amonte, creșterea stratului epitaxial, fabricarea dispozitivelor din mijlocul fluxului și piețele de aplicare din aval.

Procesul de pregătire a substratului este în principal de a sintetiza pulbere de carbon de înaltă puritate și pulbere de siliciu de înaltă puritate în pulbere de carbură de siliciu. În câmpul special de temperatură, metoda de transfer fizic de vapori (metoda PVT) este utilizată în principal pentru a crește lingouri de cristal de carbură de siliciu de diferite dimensiuni, iar substratul de carbură de siliciu este produs după mai multe procese.

Legătura epitaxială este în principal pe substratul de carbură de siliciu, iar foaia epitaxială este formată pe suprafața substratului prin metoda depunerii chimice în vapori (CVD).

Printre acestea, foaia epitaxială cu carbură de siliciu este pregătită prin creșterea stratului epitaxial din carbură de siliciu pe substrat conductiv din carbură de siliciu, care poate fi transformat în dispozitive de putere și aplicat în vehicule cu energie noi, fotovoltaice, tranzit feroviar, rețea inteligentă, aerospațială și alte domenii. Foaia epitaxială de nitrură de galiu pe bază de siliciu (GaN-on-SiC) este preparată prin creșterea stratului epitaxial de nitrură de galiu pe un substrat de carbură de siliciu semi-izolat, care poate fi pregătit în continuare în dispozitive RF cu microunde și aplicat în câmpurile de comunicare 5G.

Din structura costurilor de producție a dispozitivelor cu carbură de siliciu, costul substratului este cel mai mare, reprezentând 47%; Al doilea este costul extins, reprezentând 23%. Aceste două procese sunt componente importante ale dispozitivelor SiC.

Tag-uri populare: industria prelucrătoare de carbură de siliciu, China producători de carbură de siliciu, furnizori, refractar pentru încălzitoare, Instalare refractară, refractar pentru generarea de energie, refractar pentru cuptoarele cu inducție, refractar pentru tundisuri, refractar pentru cuptoare de rezistență